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日本光刻膠效果怎麼樣

發布時間: 2022-12-18 06:08:06

① 光刻膠的作用原理和用途

光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料,是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist,又翻譯為抗蝕劑、光阻等。光刻膠的作用就是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠只是一種形象的說法,因為光刻膠從外觀上呈現為膠狀液體。

光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋於基材表面。當紫外光或電子束的照射時,光刻膠材料本身的特性會發生改變,經過顯影液顯影後,曝光的負性光刻膠或未曝光的正性光刻膠將會留在襯底表面,這樣就將設計的微納結構轉移到了光刻膠上,而後續的刻蝕、沉積等工藝,就可進一步將此圖案轉移到光刻膠下面的襯底上,最後再使用除膠劑將光刻膠除去就可以了。

② 國產光刻膠成功突破,粉碎日本壟斷夢


近日,半導體領域迎來重磅消息,南大光電的ArF光刻膠取得突破,國產光刻膠終於來了!


南大光電光刻膠突破


早在5月30日,南大光電就已經發布公告稱,公司自主研發的ArF光刻膠產品通過客戶認證,具備55nm工藝要求。



7月2日,有報道稱,南大光電的ArF光刻膠產品目前已經拿到了小批量訂單。


這都在表明,國產光刻膠終於不再受制於人,而是實現國產化了。




晶元在製造過程中,除了硅這種主要材料之外,一些輔助材料也至關重要,其中有一種名為光刻膠的材料,在晶元製造過程中必不可少,然而,這個材料卻長期被日本壟斷,中國也在這方面一直被卡脖子。


而最近傳出的一個消息,對我國半導體的發展非常不利,日本對中國供應的光刻膠出現了「斷供」的現象。美國召開G7峰會後,日本宣布光刻膠斷供中國,日本信越化學等光刻膠企業開始限制供應ArF光刻膠產品。


斷供光刻膠,對半導體行業的人而言並不陌生,2019年日韓貿易沖突白熱化,日本就斷供了光刻膠,導致當時全球最大的晶元廠商三星陷入了困境之中。


雖然韓國積極向日本低頭求和並開展自救,但晶元生產依然受到巨大影響,間接推動了2020年的晶元短缺。



巧婦難為無米之炊,沒有了光刻膠,對於中國的晶圓廠而言是巨大的打擊,晶元生產將被迫停止!


好在,光刻膠的國產化進程並不慢,日企斷供短短半年時間,南大光電就已經將國產光刻膠投入市場中了。


南大光電,成立於2000年12月,是以南京大學國家863計劃研究成果作為技術支持的中國高純金屬有機化合物MO源的產業化基地。


1986年,863計劃啟動,在高濟宇院士的支持和指導下,學者孫祥禎牽頭進行MO源的技術攻關。MO源是一種禁運物資,更是生產化合物半導體的源頭材料,對我國國防安全、高 科技 民族工業有重要意義。


歷經重重困難,孫祥禎帶領的課題組終於研製出了純度大於5.5N的多個品種的MO源,全面向國內近20家研究單位供貨,緩解了我國對MO源的急求。


這項工藝不僅促進了國防工業的發展,更為國內化合物半導體材料的發展奠定了原始的基礎。


孫祥禎退休後,帶領年輕人創立了南大光電,注冊資本3770萬元,生產擁有自主知識產權的高純金屬有機化合物,是國內唯一實現MO源產業化的企業,公司的技術主要來源便是南京大學863計劃中的項目。



公司主要產品有三甲基鎵,三甲基銦,三甲基鋁,二茂鎂等十幾種MO源,在產品的合成、純化、分析、封裝、儲運及安全操作等方面已達到國際先進水平,產品遠銷日本、韓國、歐洲市場,並佔有大陸70%的市場份額。


作為國內唯一將半導體光學原材料實現量產的企業,南大光電對於光刻膠可以說十分熟悉,也是最有可能突破光刻膠技術的企業。


中國半導體在崛起


光刻膠到底是做什麼用的呢?


晶元生產過程中,需要用光學材料將數以萬計的電路刻在小小的7nm的晶元上,而這種輔助的光學材料,就是光刻膠。



在光刻膠領域,材料主要分為四種,分別為g線、i線、KrF、ArF光刻膠,半導體工藝越高,光刻機的精度越高,照射的光線頻率越高,波長越短。


光刻膠的解析度會隨著光線頻率的改變而不斷變化,基本的演進路線是:g線(436nm) i線(365nm) KrF(248nm) ArF(193nm) F2(157nm) EUV(


其中,ArF光刻膠的製造難度是最高的,這也是14nm/7nm晶元製造過程中不可或缺的原材料。


晶元的工藝也分等級,平板電腦、 汽車 晶元等工藝水平並不高,這各等級的晶元中國已經實現了從光刻機到晶元的完全自主化生產。真正困難的在於7nm的晶元,也就是華為遭到斷供的手機晶元。



這種工藝的手機晶元,不僅需要荷蘭ASML先進的EVU光刻機來生產,更需要高端的光刻膠作為輔助材料,以及大量的晶元原材料,才能成功生產出華為手機所需要的晶元。


光刻機被美國和荷蘭的公司壟斷,現在EVU光刻機對中國處於斷供狀態,中芯國際花了12億購買的EVU光刻機至今仍未到貨;


晶元原材料,雖然國內已有部分原材料實現自主生產,但是矽片、光掩模、電子特氣、拋光材料、濺射靶材、光刻膠以及濕電子化學品這其中原材料完全依賴進口。


在全球光刻膠市場,日本東京應化,JSR,住友化學,信越化學等企業,掌握了全球半導體光刻膠市場的90%左右份額,幾乎是壟斷的狀態。


方正證券的報告顯示,中國大陸企業在全球光刻膠領域佔有率不到13%,在半導體光刻膠領域更是不足5%,完全被日本卡了脖子!


但是,進入2021年以後,中國半導體行業國產化的趨勢越來越強!


首先是光刻機領域,上海微電子已經實現28nm光刻機的量產,預計2022年可以交付,這款光刻機的性能與荷蘭ASML的DVU光刻機相似,可以生產14nm製程工藝的晶元。



另外,美國雖然斷供了最先進的EVU光刻機,但是製程工藝相對較低的DVU光刻機卻沒有斷供,而荷蘭ASML也明確表態過,EVU光刻機也可以用於7nm工藝晶元,英特爾的10nm工藝、台積電第一個7nm晶元,都是用DVU光刻機實現。


這意味著,2022年,現有的光刻機技術或許能夠提前量產華為所需的7nm晶元,打破美國封鎖。


而生產7nm工藝晶元所需要的ArF光刻膠,在7月2日就已經有國外企業向南大光電訂購了,這意味著半導體光刻膠原材料也實現了自主化。


另外,南大光電,容大感光、上海新陽等國內企業,也在持續研發高端光刻膠,爭取在現有技術上進一步突破,追上日本的光刻膠技術。


剩下的6種完全依賴進口的原材料,國內的企業肯定也已經發現了商機,正在朝著國產化轉變;最關鍵的兩項技術突破後,中國實現手機晶元國產化的日子也就不遠了。


空談誤國、實干興邦,中國的半導體行業,正在默默地奮力追趕,一如這次南大光電突然給市場來個驚喜一樣,未來還將會看到更多的一鳴驚人的突破。


中國半導體,正在以驚人的速度崛起!

作者 | 金萊

③ ip3500光刻膠是日本哪個牌子

品牌名為信越化學。
ip3500光刻膠是日本信越化學的產品。信越化學產是日本最大的化工企業,成立於1926年,主要從事化工業務,生產和銷售合成樹脂和其他化學品。
日本光刻膠三巨頭分別是日本合成橡膠(JSR)、東京應化(TOK)和信越化學。

④ 光刻膠是製造手機晶元必不可少的東西,你知道光刻膠是啥嗎

光刻膠是一種有機化合物,在紫外線的曝光後,會發生變化。一般都是把它以液態的方式塗在矽片表面上,曝光後烤成固態以用來圖形轉移。

⑤ 光刻膠就是ito導電膜嗎那麼沐里沐又是什麼,起什麼作用呢

光刻膠是光刻膠,ITO是ITO,兩回事。光刻膠(Photo resist,PR)是應用在光刻工藝中的,具備感光性,ITO(氧化銦錫)是電極材料,一般是在鍍膜工藝中沉積上去的。
沐里沐是鉬鋁鉬,是金屬電極的膜層材料。
在TFT製造中,鉬鋁鉬只是柵極源極最常見的材料而已,而柵極和源極是必要的。作為膜層材料,鍍膜肯定是一整層的,不過經過光刻和刻蝕工藝後,最終剩下的就是我們想要的圖案了。

⑥ 光刻膠是什麼材料起什麼作用

光刻膠是一種具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料,是轉移紫外曝光或電子束曝光圖形的介質。光刻膠的英文名是resist,也翻譯成resist、photoresist等。光致抗蝕劑的功能是作為抗蝕刻層保護襯底表面。光致抗蝕劑只是一種圖像,因為它在外觀上是以膠狀液體出現的。

光致抗蝕劑通常以薄膜的形式均勻地塗覆在襯底的表面上。當受到紫外光或電子束照射時,光致抗蝕劑材料本身的特性會發生變化。用顯影劑顯影後,曝光的負性光刻膠或未曝光的正性光刻膠會殘留在基底表面,從而將設計好的微納結構轉移到光刻膠上。後續的刻蝕、沉積等工藝可以進一步將這種圖案轉移到光刻膠下面的襯底上,最後用光刻膠去除劑去除光刻膠。

⑦ 光刻膠是什麼材料 起什麼作用

材料:由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。

作用:在光刻工藝過程中,用作抗腐蝕塗層材料。

光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。半導體材料在表面加工時,若採用適當的有選擇性的光刻膠,可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類。

光刻膠

在光刻膠工藝過程中,塗層曝光、顯影後,曝光部分被溶解,未曝光部分留下來,該塗層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來,而未曝光被溶解,該塗層材料為負性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同,又分為紫外光刻膠(包括紫外正、負性光刻膠)。

深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應用於顯示面板、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工作業。光刻膠生產技術較為復雜,品種規格較多,在電子工業集成電路的製造中,對所使用光刻膠有嚴格的要求。

以上內容參考:網路——光刻膠

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